NPN PNP
Биполярные транзисторы:
- обратный ток коллектор-база (Ікбо);
- обратный ток коллектор-эмиттер (ІкэR);
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ.нас);
- напряжение насыщения база-эмиттер (Uбэ.нас);
- коэффициент усиления по току с общим эмиттером (h21э);
- граничное напряжение (Uкэ.огр). |
MOSFET
Полевые транзисторы п-канальные и р-канальные:
- ток утечки затвора, Iут.з.;
- остаточный ток стока Іс.ост;
- начальный ток стока Іс.нач;
- пробивное напряжение сток-исток Ucи;
- пороговое напряжение Uзи.пор;
- сопротивление открытого транзистора Rcи;
- ток стока в импульсном режиме Ic ГOCТ. |
IGBT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором:
- пробивное напряжение коллектор-эмиттер Uкэо;
- обратный ток коллектор — эмиттер Ікэо;
- ток утечки затвор — эмиттер Iзэ.yт.;
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нac.;
- пороговое напряжение затвор-эмиттер Uзэ.пор. |
FRD
Диоды, диодные сборки с общим катодом (с общим анодом):
- постоянное прямое напряжение, Uпр;
- постоянный обратный ток, Ioбp.;
- пробивное напряжение, Uo6p. |
|
Тестер может применяться автономно и в составе линии, в том числе с внешними устройствами типа автоматических сортировщиков, зондовых станций и камерами для климатических испытаний.
|
Тестер конструктивно обеспечивает установку в посты операторов блоков индуктивной нагрузки для проверки граничного напряжения Uкэ.огр и лавинной устойчивости Елав.
|
