НАЗНАЧЕНИЕ:
Модуль физико-химической обработки полупроводниковых пластин предназначен для проведения технологического процесса химической обработки проэкспонированных фотошаблонных заготовок с типоразмерами (мм) 127х127х2,24; 152,4х152,4х6,35 и 178х178х3,1, а именно: проявления резиста, травления хрома, обработка в стабилизирующем растворе, снятие фоторезиста с последующей промывкой в деионизованной воде и сушкой методом центри-фугирования и обдувом азотом.
ОСОБЕННОСТИ:
- Сменные комплекты ванн химической обработки фотошаблонов для каждого из типоразмеров фотошаблонов;
- Одновременно в рабочей зоне модуля могут располагаться 4 ванны химической обработки фотошаблонов из любого Комплекта;
- Ванны химической обработки фотошаблонов изготавливаются из фторопласта Ф4;
- Ванны химической обработки фотошаблонов оснащаются фторопластовыми съемными крышками;
- Пистолет-распылитель для подачи деионизованной воды в ванну промывки;
- Пистолет для подачи азота для проведения технологической операции обдува фотошаблонов азотом при сушке;
- Пистолет-распылитель для профилактической промывки ванн химической обработки и внутреннего пространства модуля деионизованной водой;
- Платформа покачивания имеет 4 посадочных места для размещения 4-х ванн химической обработки и их фиксации при осуществлении покачивания платформы;
- Центрифуга оборудована планшайбой для размещения и фиксации фотошаблонов всех трех типоразмеров. На планшайбе единовременно может размещаться только один фотошаблон;
- Одна из позиций для установки ванны обработки оснащена подсветкой для контроля процесс.
