НАЗНАЧЕНИЕ:
Плазменная обработка широкого спектра изделий электронной техники с целью удаления органических веществ, оксидов и активации поверхности.
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ОСОБЕННОСТИ:
- Применение низкочастотной плазмы для очистки имеет ряд преимуществ: низкочастотная генерация позволяет получить более высокую плотность ионов на единицу площади поверхности, в системах с низкочастотным возбуждением плазмы нет теневых зон возникающих в ВЧ-системах при расположении изделий одного над другим.
- Обработка изделий осуществляется в однородном ламинарном потоке низкочастотной плазмы.
- Большая загрузочная камера, позволяющет производить обработку габаритных изделий, либо большого числа небольших изделий в одном цикле.
- Горизонтальные электроды держатели изделий устанавливаются на разных уровнях камеры обработки, при этом реализуются различные режимы обаботки от РИТ до обработки вне зоны плазмы.
- Возможность проведения процесса очистки изделий, чувствительных к повышенным температурам.
- Возможность обработки изделий микроэлектроники, чувствительных к заряженным частицам.
- Микропроцессорная система управления.
ОСНОВНЫЕ СФЕРЫ ПРИМЕНЕНИЯ:
- Модификация поверхности для улучшения адгези;
- Подготовка поверхности перед выполнением ультразвуковой/термозвуковой сварки;
- Удаление органических веществ и флюса с поверхности;
- Удаление остатков фоторезиста и загрязнений с поверхности пластин;
- Очистка корпусов микросхем и открытых схем перед разваркой;
- Улучшение совместимости с биологическими средами.
