НАЗНАЧЕНИЕ:
Плазмохимическое травление пленок SiO2, ФСС, поли-Si, Si3N4 через фоторезистивную маску с высокой скоростью, равномерностью и точностью. Позволяет формировать минимальный размер топологического рисунка до 0,6 мкм.
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ОСОБЕННОСТИ:
- Индивидуальная обработка с автоматической загрузкой/выгрузкой пластин из кассеты в кассету;
- Комбинированная система возбуждения плазмы РИТ-ПХТ;
- Автоматический контроль расхода газов, давления, ВЧ-мощности;
- Микропроцессорный контроль параметров технологического процесса.
