НАЗНАЧЕНИЕ:
Удаление фоторезистивных масок в технологии производства изделий электронной техники и МЭМС после операций формирования топологического рисунка, с пластин диаметром 100,150 мм.
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ОСОБЕННОСТИ:
- Удаление фоторезиста вне зоны газового разряда;
- Групповая обработка пластин;
- Контроль состояния элементов согласующего устройства;
- Предварительный ИК нагрев обрабатываемых изделий;
- Система ВЧ питания на основе генератора;
- Вакуумная система на базе форвакуумного насоса с вакуумметром Baratron;
- Устройства мягкой откачки и разгерметизации реактора для исключения турбулентных потоков;
- Микропроцессорный контроль параметров технологического процесса;
- IBM совместимая двухуровневая система управления, удаленный доступ через Internet.
- Автоматический регулятор давления;
- Фронтальная панель установки встраивается в ЧП кл. 10/100.
Состав установки:
- Реактор с коаксиально-емкостной системой возбуждения плазмы и устройством предварительного разогрева пластин до заданной температуры;
- Система ВЧ питания, система управления установкой;
- Блок вакуумной откачки на базе форвакуумного насоса с запорной арматурой и устройством, регулирующим скорость откачки газов из реактора;
- Блок обработки, в котором размещен реактор и устройство согласования ВЧ генератора с плазменной нагрузкой реактора;
- Блок газовый, имеющий три газовых канала, включающих регуляторы расхода газа РРГ-12, ручные запорные краны, регуляторы давления, манометры, отсечные клапаны.
