Установка формирования фоторезистивных масок на шаблонные заготовки УНФ-153

Оборудование разработано в рамках комплексного проекта «Разработка и организация производства кластерных линий фотолитографии с концепцией объединения всех операций формирования фоторезистивной маски в едином модуле» на основании Договора о предоставлении субсидии на возмещение части затрат на создание научно-технического задела по разработке базовых технологий производства приоритетных электронных компонентов и радиоэлектронной аппаратуры № 16411.1950168580.11.001 от 17 октября 2016 г."

НАЗНАЧЕНИЕ:

Нанесение резиста на прямоугольные пластины из стекла и кварца методом центрифугирования. 

Состав установки:

• модуль нанесения фоторезистов и электронорезистов;
• блок обеспыливания;
• система дозирования резиста;
• блок силовой;
• блок пневматический;
• блок управления;
• станина.

ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ОСОБЕННОСТИ:

• Нанесение фоторезиста на поверхность подложек осуществляется тремя способами:

- на вращающуюся подложку;
- на неподвижную подложку;
- путем перемещения капельницы от центра подложки к периферии с одновременным вращением подложки.

• Контроль количества и температуры фоторезиста в емкости;

• Наличие устройства, предотвращающего подсыхание фоторезиста в емкости и в кончике подающего сопла;

• Технологическая программа работы установки задается с помощью графического дисплея;

• Установка соответствует требованиям эксплуатации в помещениях класса Р5(100) («чистое помещение» класса  ИСО5 по ГОСТ Р ИСО 14644-1-2000).

ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: